1、pn结正向存在一个导通电压，反向存在一个击穿电压，所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻，即通过的电流很小，一旦高于导通电压，正向电流迅速增加；在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，当一旦高于击穿电压时，反向电流即迅速增加。

2、从pn结的电流电压关系图上可以清楚看出两者的图形变化“相似”，区别在于正向的导通电压很低，硅半导体构成的pn结导通电压在0.7V左右，锗管的约为0.4V；而反向击穿电压一般数值都高于导通电压。